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本发明公开了一种使用基于知识的神经网络的MOS晶体管的射频参数退化模型，该模型可以拟合所测试的直流参数的退化情况和所测试的射频参数的退化情况之间的对应关系。该过程主要分为三步：第一步，对建模所用的MOS管进行HCI退化实验，得到不同直流应力...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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