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本公开提供了一种场效应晶体管器件，包括：衬底，分为第一区和第二区，以与衬底的纵向方向垂直且位于衬底的中间位置的假想线为基准，第一区位于衬底的纵向方向的上侧，第二区位于衬底的纵向方向的下侧，在第一区的衬底上形成有第一场效应晶体管结构，第一区的...
该专利属于珠海迈巨微电子有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海迈巨微电子有限责任公司授权不得商用。

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