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本发明公开了一种可控横向光场的多结型半导体激光器及其制造方法，涉及半导体激光器技术领域，可控横向光场的多结型半导体激光器包括：衬底；多个含有PN限制层、波导层、量子阱区、电流限制层的结型结构，且多个结型结构之间均通过一隧道结进行连接；其中，...
该专利属于江西铭德半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西铭德半导体科技有限公司授权不得商用。

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