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本发明公开一种有机单晶半导体结构及其制备方法，所述的有机单晶半导体结构包括衬底，自下而上沉积在衬底上的辅助生长层、电极、有机单晶半导体层；所述的有机单晶半导体层为跨越电极前后形貌基本不变的的有机半导体单晶薄膜，所述的有机半导体单晶薄膜能够在...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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