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本发明提供了一种锗硅雪崩光电探测器，包括：雪崩放大区；分别与所述雪崩放大区接触的第一欧姆接触层和电荷收集区；与所述电荷收集区连接的控制栅结构；其中，所述控制栅结构用于控制所述电荷收集区的势垒高度。也就是说，该锗硅雪崩光电探测器基于所述控制栅...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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