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一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器制造技术
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下载一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器的技术资料
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一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器,以p型GaAs作为衬底层,在GaAs衬底层上依次外延生长低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层、高Al组分AlGaAs刻蚀层,而后在高Al组分AlGaAs刻蚀层上周期性交替...
该专利属于东华理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过东华理工大学授权不得商用。
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