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本发明公开了一种基于同轴硅通孔的三维变压器，包括硅衬底层，硅衬底层中设置有2×N的同轴硅通孔阵列，硅衬底层的一端连接有顶部介质层，另一端连接有底部介质层。每个所述同轴硅通孔从内到外依次为同轴设置的中心金属柱，介质层，外侧环形金属以及绝缘层。...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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