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本发明MEMS探针激光刻蚀装置用光学准焦结构属于半导体加工测试技术领域;所述光学准焦结构在MEMS探针激光刻蚀装置中,将螺旋通槽板用上一字通槽板代替,将直线通槽板用下一字通槽板代替,将单晶硅圆片用相同厚度的平面反射镜代替,所述上一字通槽板上...该专利属于强一半导体(苏州)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过强一半导体(苏州)有限公司授权不得商用。
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本发明MEMS探针激光刻蚀装置用光学准焦结构属于半导体加工测试技术领域;所述光学准焦结构在MEMS探针激光刻蚀装置中,将螺旋通槽板用上一字通槽板代替,将直线通槽板用下一字通槽板代替,将单晶硅圆片用相同厚度的平面反射镜代替,所述上一字通槽板上...