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本申请涉及一种碳化硅衬底、晶锭及其制备方法，属于半导体材料领域。所述碳化硅衬底包含氮元素，所述碳化硅衬底具有六边形色斑的密度小于0.3个\平方厘米，形成所述六边形色斑的边部垂直于<10
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