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本发明提供了一种TSV结构及其制备方法，所述TSV结构包括：衬底结构；通孔结构，所述通孔结构设置在所述衬底结构内部并上下贯穿所述衬底结构；嵌入层，所述嵌入层设置在所述通孔结构内壁并插入所述衬底结构内部；化合物层，所述化合物层设置在所述通孔结...
该专利属于上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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