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本申请公开了一种合金纳米晶粒生长的模拟方法、装置、电子设备及介质。该方法可以包括：设定初始微观结构，确定模拟的面积，模拟网格大小及模拟时间步长；通过相场法建立合金纳米晶粒生长模型；根据合金数据，分别确定再结晶前和再结晶后的自由能密度函数；将...
该专利属于武汉轻工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉轻工大学授权不得商用。

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