温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种在基质中形成特征的方法，其包括步骤：在基质上形成介电层；在介电层上形成抗反射涂层；在抗反射涂层上形成光刻胶图案；穿过图案化的光刻胶蚀刻介电层；和除去抗反射涂层和光刻胶，其中抗反射涂层为由式Ｓｉ↓［ｖ］Ｏ↓［ｗ］Ｃ↓［ｘ］Ｎ↓［...
该专利属于气体产品与化学公司所有，仅供学习研究参考，未经过气体产品与化学公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。