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本发明提供一种用于改善SGT工艺中多晶硅裂缝的方法，包括栅极多晶硅、位于栅极多晶硅两侧且上表面高于栅极多晶硅的第一氧化层；沿第一氧化层的侧壁刻蚀该第一氧化层结构至露出栅极多晶硅头部使第一氧化层的开口呈倒梯形；形成一层覆盖栅极多晶硅头部的第二...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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