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本发明提供一种具有晶圆级自密封真空腔结构的压力传感器及其制备方法，方法包括：提供衬底；在衬底沿其厚度方向的第一表面形成预定深度的腔体；在衬底的第一表面以及腔体中形成牺牲层，并对牺牲层进行平坦化处理；在平坦化处理后的牺牲层上形成支撑层，图形化...
该专利属于南京高华科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京高华科技股份有限公司授权不得商用。

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