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功率半导体器件及其制作工艺制造技术
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文档序号:27436887
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本申请涉及功率半导体器件技术领域,具体而言,涉及一种功率半导体器件及其制作工艺。功率半导体器件的制作工艺包括以下步骤:在衬底的正面沉积一层外延层并完成功率半导体器件正面结构的制作;对所述衬底的背面进行刻蚀,刻蚀穿整个衬底,直至外延层,形成引...
该专利属于珠海格力电器股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海格力电器股份有限公司授权不得商用。
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