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一种实现像素内相关双采样的高速全局曝光像素结构，包括光电二极管（PD）、复位晶体管（RST）、电荷传输晶体管（TX）、两个源极跟随器（SF1、SF2）、多功能晶体管（PC）、三个MOS开关（S1、S2、S3）、选择晶体管（SEL）、两个电容...
该专利属于天津大学青岛海洋技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学青岛海洋技术研究院授权不得商用。

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