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带有低噪声源跟随器的图像传感器像素结构及其制作方法，像素结构中的无浅沟槽隔离源跟随器使用p+型隔离层结构代替浅沟槽隔离结构，在实现电学隔离功能的基础上，降低晶体管沟道边缘区域的缺陷密度；同时降低源跟随器晶体管栅氧化层厚度，提高单位面积栅氧化...
该专利属于天津大学青岛海洋技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学青岛海洋技术研究院授权不得商用。

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