温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种用于半导体层的光学邻近校正的方法,在该光学邻近校正的方法中,半导体层包括最佳聚焦平面和散焦平面的半导体平面,其中,包括以下步骤:首先对为最佳聚焦平面的半导体平面使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型;再对为散焦平面的半导体平面...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种用于半导体层的光学邻近校正的方法,在该光学邻近校正的方法中,半导体层包括最佳聚焦平面和散焦平面的半导体平面,其中,包括以下步骤:首先对为最佳聚焦平面的半导体平面使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型;再对为散焦平面的半导体平面...