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本发明提供一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法。它包括以下步骤：S1在铸造单晶硅片上形成多孔硅网状的海绵结构；S2)酸洗；S3高温PSG(磷硅玻璃层)的沉积与降温退火处理；S4酸洗并制绒；S5双面非晶硅镀膜；S6在非晶硅薄膜层的正反面分别...
该专利属于福建新峰二维材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建新峰二维材料科技有限公司授权不得商用。

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