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本发明涉及铜互联工艺中电镀铜填充方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括在第一介质层中形成凹槽；在所述凹槽的底部表面和侧面形成阻挡层，并在阻挡层上形成籽晶层；进行铜电镀工艺，其中在铜电镀工艺过程中，在电镀液中间歇加入杂质金属离子，以使对于一片...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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