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本发明公开了一种薄膜基体镀前等离子体处理方法及其设备，通过狭缝可有效解决了放料室、前处理室和镀膜室之间的串气问题，避免各腔室功能在实现过程发生气氛变化，确保各腔室的功能稳定实现。薄膜基体在经过前处理室时通过限位板进行限定，防止薄膜基体在收到...
该专利属于松山湖材料实验室所有，仅供学习研究参考，未经过松山湖材料实验室授权不得商用。

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