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本专利公开了一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器，其结构特点自下而上分别是GaAs衬底、GaAs缓冲层、Al
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该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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