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本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种氮化镓高铝组分的外延生长方法；包括以下步骤：衬底处理、生长氮化镓成核层、生长氮化镓模板层、生长氮化镓缓冲层、生长多个多量子阱应力传递层以及生长GaN盖层。本发明的目的在于提供一种氮化镓高铝组分的外延生长...
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