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微发光二极管阵列与其制造方法技术
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文档序号:27306782
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本发明实施例提供一种微发光二极管阵列与其制造方法,其包含基板,在基板上形成磊晶层,以及在磊晶层上形成薄膜转换层。可通过微影制程(lithography)定义像素,像素的尺寸可以非常小。此制造方法的特征是不需要巨量转移。移。移。
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该专利属于林清富所有,仅供学习研究参考,未经过林清富授权不得商用。
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