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一种基于热模光刻的氧化硅图形结构刻写方法,其主要特征在于所述发明在光学元件制造和半导体行业中对氧化硅块体或者氧化硅薄膜进行任意图形的刻写,达到光学调制、蚀刻掩模或绝缘栅极制备的目的。首先在氧化硅薄膜或者氧化硅基底表面沉积一层相变材料薄膜,通...
该专利属于中国科学院上海光学精密机械研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海光学精密机械研究所授权不得商用。

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