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提供具有多量子阱(MQW)pin二极管结构的发光器件以及制造和使用该器件的方法。该发光器件包括：作为空穴注入体的隧穿异质结；n型接触部；和设置在隧穿异质结和n型接触部之间的发光活性区。该隧穿异质结有助于在偏压下的带间隧穿空穴注入，由此p型I...
该专利属于威斯康星州男校友研究基金会所有，仅供学习研究参考，未经过威斯康星州男校友研究基金会授权不得商用。

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