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文档序号:2719507
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薄膜晶体管形成在构成显示装置的绝缘基体上。每个薄膜晶体管包括一由多晶硅制成的半导体层,该半导体层由沟道区,排列在该沟道区两侧并掺有高浓度杂质的漏极和源区,及至少排列在漏极区和沟道区之间或源区与沟道区之间并掺有低浓度杂质的LDD区组成,该薄膜...
该专利属于株式会社日立制作所所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社日立制作所授权不得商用。
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