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薄膜晶体管包括支承于基板的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘层、配置于栅极绝缘层上且包含多晶硅区域p的半导体层，多晶硅区域p具有：半导体层，其包括第一区域Rs、第二区域Rd、以及位于第一区域与第二区域之间的沟道区域Rc；源电极s，其与第一区域电连...
该专利属于堺显示器制品株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过堺显示器制品株式会社授权不得商用。

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