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本发明公开了一种晶片腐蚀液及腐蚀方法，涉及半导体材料技术领域。本发明的一种晶片腐蚀液，包括以下体积百分比的组分：双氧水70％～77％、浓硫酸3.8％～5％、冰醋酸7.7％～10％、浓盐酸9.5％～11.5％，优选的，包括以下体积百分比的组分...
该专利属于威科赛乐微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过威科赛乐微电子股份有限公司授权不得商用。

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