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本发明公开了一种纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷存储层，电荷存储层为具有高介电常数的聚合物溶液通过旋涂调控而得到的纳米...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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