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本发明包括形成在第一衬底(101)的主表面(101a)上的半导体光放大器(102)。半导体光放大器(102)的一端的端面形成第一反射部(103)，所述一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。半导体光放大器(102...
该专利属于日本电信电话株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电信电话株式会社授权不得商用。

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