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本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括第四衬底、第七限制层、第四有源层、第八限制层以及第四电子束缚层。第四衬底的表面设置有第七限制层、第四有源层以及第八限制层。第四电子束缚层设置于第八限制层远离第四有源层的表面。或者第四电子束...
该专利属于陕西源杰半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西源杰半导体技术有限公司授权不得商用。

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