温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种用于制备包括至少一个全单晶半导体层的半导体材料的方法，该方法包括以下步骤：(i)预处理第一衬底的表面以容纳单晶硅层；(ii)在步骤(i)中获得的单晶硅层上，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，通过具有生长速率梯度的外延...该专利属于国家科学研究中心;法国光伏研究所;综合工科学校;道达尔公司;法国电力公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家科学研究中心;法国光伏研究所;综合工科学校;道达尔公司;法国电力公司授权不得商用。