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一种垂直腔面发射器器件(例如，VCSEL或RC‑LED)含有埋入式折射率引导型电流限制孔层，所述限制孔层生长并被光刻处理以限定内部孔的位置、形状和尺寸。在再生工艺中，所述孔被第三接触层的单晶材料填充。所述孔提供用于电流限制和光限制，同时允许...
该专利属于加利福尼亚大学董事会所有，仅供学习研究参考，未经过加利福尼亚大学董事会授权不得商用。

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