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一种双波长单片集成二极管及其制作方法，利用对接生长的方式，采用三次外延生长来实现三段式的结构，从而实现双波长的单片集成的超辐射发光二极管，其利用光致发光谱波长更长的多量子阱MQW1作为公共吸收区，两端分别集成不同波长的多量子阱MQW1，多量...
该专利属于武汉敏芯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉敏芯半导体股份有限公司授权不得商用。

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