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本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长N型层、有源层和P型层；在衬底上生长N型层包括：在衬底上生长多个周期交替生长的第一N型层和第二N型层，其中，在高温低温交替的条件下...
该专利属于华灿光电(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电(苏州)有限公司授权不得商用。

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