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本发明提供了一种垂直结构LED芯片的制备方法，采用超薄的金属衬底作为垂直结构LED芯片的衬底，金属衬底的导电、导热能力优异，可以显著增加芯片的导电和散热能力，提高了芯片极限工作性能；并且，在金属衬底第二表面形成金属应力调整层，金属应力调整层...
该专利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门士兰明镓化合物半导体有限公司授权不得商用。

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