温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了选择性发射极制备方法，包括获得N型硅片，并在N型硅片的正面沉积掩膜层；在掩膜层与金属栅线对应的位置形成窗口；对具有窗口的N型硅片进行扩散处理，以在具有窗口的N型硅片对应窗口的位置形成重掺杂区；去除掩膜层；对去除掩膜层后的N型硅片...该专利属于浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司授权不得商用。