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本发明公开了一种红外探测器件制备方法，包括：根据预先确定的厚度和掺杂浓度在衬底上顺次生长第一电极层和吸收层；在所述吸收层上交替生长预设材料组合的势垒层；在所述势垒层上生长第二电极层；对完成生长的材料进行流片处理，制备高工作温度红外探测器件，...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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