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本申请公开了一种NORD闪存器件的制作方法，包括：对衬底上的衬垫氧化层进行刻蚀去除，衬底所在的平面包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区之间形成有STI结构；在衬底上形成第一栅氧层；通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺对第一栅氧层进行...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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