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本发明涉及一种高温压力传感器芯片及其制备方法，高温压力传感器芯片包括顶层硅结构和底层SOI结构；底层SOI结构由上至下依次分布的信号处理层硅、绝缘层氧化硅和感压层硅，顶层硅结构上设置有信号引出孔和位于下表面的压力腔，感压层硅的下表面设置有引...
该专利属于广州市智芯禾科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州市智芯禾科技有限责任公司授权不得商用。

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