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本发明提供了一种ＰＤＰ保护屏的吸收近红外线和橙色光基片的制作方法，其具体步骤为：１）先用５０℃～６０℃的中性洗涤剂刷洗基片，再采用超声的清洗方式用电阻率为１５～１７ＭΩ.ｃｍ的去离子水，对基片进行清洗；２）在温度为５０℃～８０℃的温度场中，...该专利属于四川世创达电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川世创达电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种ＰＤＰ保护屏的吸收近红外线和橙色光基片的制作方法，其具体步骤为：１）先用５０℃～６０℃的中性洗涤剂刷洗基片，再采用超声的清洗方式用电阻率为１５～１７ＭΩ.ｃｍ的去离子水，对基片进行清洗；２）在温度为５０℃～８０℃的温度场中，...