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本发明公开了一种对消式去耦芯片，包括左右对称分布的双T型微带结构A、B，以及前后对称分布的山型去耦结构C、D；所述山型去耦结构C、D相对的一侧分别设有左、右两个开槽，双T型微带结构A、B的前、后端部分别位于山型去耦结构C、D的左、右开槽内；...
该专利属于西安朗普达通信科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安朗普达通信科技有限公司授权不得商用。

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