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一种用于具有增强应变界面区域的单晶电子设备的制造方法和所得结构。该制造方法可以包括形成覆盖衬底的成核层以及形成覆盖成核层的第一单晶层和第二单晶层。该第一层和第二层可以通过引入一种或多种杂质物质来进行掺杂，以形成应变单晶层。第一应变层和第二应...
该专利属于阿库斯蒂斯有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿库斯蒂斯有限公司授权不得商用。

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