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本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件及半导体组件，所述半导体器件的制造方法包括：外延生长形成半导体外延片；根据光刻脊条在所述半导体外延片上刻蚀出第一脊条结构；根据光刻窗口在所述半导体外延片上沉积出第二脊条结构，所述第二脊条结...
该专利属于度亘激光技术(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过度亘激光技术(苏州)有限公司授权不得商用。

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