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本发明公开了一种混合集成谐振腔激光器及其制备方法，其中，激光器包括SOI衬底、以及位于SOI衬底上的有源区和无源区，有源区包括多量子阱区，多量子阱区与位于其左右两侧的P型InP和N型InP构成侧向P‑I‑N结构；无源区包括波导、波导光栅和锥...
该专利属于武汉敏芯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉敏芯半导体股份有限公司授权不得商用。

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