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本发明一种可调谐VCSEL激光器芯片及其制造方法，包括：一单晶衬底；单晶衬底正面单元，生长在所述单晶衬底正面，发射激光，包括：外延层、N‑欧姆接触层、P‑欧姆接触层、光学钝化层；单晶衬底背面单元，二次外延生长在所述单晶衬底背面，调谐所述激光...
该专利属于威科赛乐微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过威科赛乐微电子股份有限公司授权不得商用。

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