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本发明提供了一种微型发光二极管阵列及其制作方法。所述方法包括:支撑衬底;图形化绝缘层,所述图形化绝缘层设置于支撑衬底表面且具有镂空部,所述镂空部的侧壁覆盖光反射层;发光二极管的发光结构,所述发光结构设置在所述镂空部中,并再设置有第一电极和第...该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种微型发光二极管阵列及其制作方法。所述方法包括:支撑衬底;图形化绝缘层,所述图形化绝缘层设置于支撑衬底表面且具有镂空部,所述镂空部的侧壁覆盖光反射层;发光二极管的发光结构,所述发光结构设置在所述镂空部中,并再设置有第一电极和第...