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本发明提供一种CMOS图像传感器的实现方法，包括：于半导体衬底上形成沟槽，至少部分所述沟槽用于后续步骤中形成图像传感器像素单元的源跟随晶体管；填充第三阻挡层，覆盖沟槽；采用图形化工艺刻蚀沟槽周围的部分区域，形成浅沟槽隔离结构；填充氧化层覆盖...
该专利属于格科微电子(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子(上海)有限公司授权不得商用。

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