温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种高能量密度纳米电容三维集成结构及其制备方法。通过在硅片表面刻蚀出硅纳米结构并制备第一纳米电容，然后在第一纳米电容表面形成纳米线结构并制备第二纳米电容，将两个纳米电容并联连接，可以显著增大电容密度和能量密度，增强纳米电容的电学...该专利属于复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。